新潔能SiC MOSFET系列產(chǎn)品NCES120R062T4，NCES075R026T4，NCES120R018T4，NCES120P035T4，NCES120R036T4，NCES075R026T，NCES120P075T4

SiC MOSFET是近年來MOSFET行業(yè)進行技術(shù)迭代的主要方向，相較于其他可用技術(shù)，碳化硅MOSFET表現(xiàn)出顯著的性能提升，為眾多電子應(yīng)用帶來了新的可能性。南山電子代理品牌新潔能（NCE）在目前已開發(fā)完成1200V 23mohm~62mohm SiC MOSFET系列產(chǎn)品，新開發(fā)650V SiC MOSFET工藝平臺，用于新能源汽車OBC、光伏儲能、工業(yè)及自動化等行業(yè)，相關(guān)產(chǎn)品已通過客戶驗證，并實現(xiàn)小規(guī)模銷售；并已開發(fā)更多的第三代半導(dǎo)體芯片代工廠，相關(guān)產(chǎn)品已實現(xiàn)工程產(chǎn)出。新潔能SiC MOSFET系列產(chǎn)品具體型號為：NCES120R062T4，NCES075R026T4，NCES120R018T4，NCES120P035T4，NCES120R036T4，NCES075R026T，NCES120P075T4，以下為詳細介紹：

技術(shù)特點:

• 電流密度大：新潔能SiC MOSFET能夠承受更大的電流密度，即單位面積上可以通過更大的電流，這使得其在相同體積下能夠提供更高的輸出功率。
• 擊穿電壓高：新潔能SiC MOSFET的擊穿電壓遠高于傳統(tǒng)的硅基MOSFET。SiC材料的擊穿電場強度是硅的10倍，因此SiC MOSFET可以承受更高的電壓，適合于高電壓應(yīng)用場合。
• 損耗低：一般來說，半導(dǎo)體器件的導(dǎo)通損耗與其擊穿場強成反比。因此，在相似的功率水平下，SiC器件的傳導(dǎo)損耗比Si器件小得多。
• 短路能力優(yōu)良：新潔能SiC MOSFET具有優(yōu)良的短路能力，為應(yīng)用中的突發(fā)狀況提供充足的裕量。
• 超低開關(guān)損耗：帶有額外的開爾文引腳的TO-247-4P封裝可以繞過控制回路上的源極引線電感，降低SiC MOSFET的寄生效應(yīng)并進一步降低器件的開關(guān)損耗。

主要參數(shù):

應(yīng)用領(lǐng)域:

• 光伏逆變器：新潔能SiC MOSFET在光伏逆變器中普遍使用，使用基于SiC MOSFET的光伏逆變器，轉(zhuǎn)換效率可以從96%提升至99%以上，能量損耗降低50%以上。并且SiC MOSFET能夠在高溫等惡劣環(huán)境中工作，有利于提高光伏逆變器的使用壽命。
• 充電樁：在電動車充電樁中，新潔能SiC MOSFET產(chǎn)品用于直流快充的功率逆變器和 DC/DC 轉(zhuǎn)換器等電路中，能夠?qū)崿F(xiàn)高效率和高頻率的電能轉(zhuǎn)換，提供更快的充電速度。
• 基站電源：新潔能SiC MOSFET具有低導(dǎo)通電阻和高溫工作能力，使其在高溫環(huán)境下依然能夠保持穩(wěn)定運行，這對于基站等需要在高溫環(huán)境中工作的設(shè)備尤為重要。

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